Modulador de intensidad Rof, modulador de niobato de litio de película delgada, modulador TFLN 20G

Breve descripción:

El modulador de intensidad electroóptico de la serie ROF-TFLN-20G se basa en la tecnología de guía de onda de niobato de litio de película delgada y la estructura push-pull MZ, con bajo voltaje de media onda y alto ancho de banda operativo. El extremo de polarización (CC) utiliza un método de ajuste térmico que reduce significativamente la deriva de temperatura y permite un funcionamiento estable durante un largo período en cualquier punto de operación. En comparación con los moduladores convencionales, presenta un menor volumen, menor consumo de energía y mayor estabilidad.


Detalles del producto

Rofea Optoelectronics ofrece productos de moduladores electroópticos ópticos y fotónicos.

Etiquetas de producto

Característica

 

l Relación de extinción > 25 dB (valor típico 30 dB)

l Alta estabilidad

l Ancho de banda de modulación alto

l Bajo voltaje de media onda

 

Solicitud

Fotones de microondas

Comunicación óptica de alta velocidad

Comunicación cuántica

Modulador de intensidad EOM Rof 20G, modulador de niobato de litio de película delgada, modulador TFLN

Parámetro

Parámetro

Símbolo

Min

Tipo

Máximo

Unidad

parámetros ópticos
longitud de onda de trabajo

l

1525

1565

nm

pérdida de inserción

IL

4.5

5.5

dB

Pérdida de retorno óptico

ORL

-25

dB

Relación de extinción del interruptor a CC

ER@DC

25

30

dB

fibra óptica terminal de entrada

Panda PM1550

fin de salida

Panda PM1550

interfaz de fibra óptica

FC/PCFC/APC o especificado por el usuario

Parámetros eléctricos
Ancho de banda de trabajo (-3 dB)

S21

20

25

GHz

Voltaje de media onda de RF Vpi

Vπ a 1 GHz

3.5

V

Potencia de media onda sesgada Ppi

Pπ@Bias

45

50

mW

Tensión de entrada máxima en el extremo de polarización

8

V

pérdida de retorno eléctrico

S11

-12

-10

dB

impedancia de entrada de RF

ZRF

50

W

Interfaz eléctrica 2,92 mm hembra

Condiciones extremas

Parácmetro

Símbolo

Unidad

Min

Tipo

Máximo

Potencia óptica de entrada a 1550 nm

Pen,Max

dBm

20

potencia de entrada de RF

dBm

23

Voltaje de polarización final

Vbias

V

0

8

Temperatura de funcionamiento

Arriba

ºC

-10

60

Temperatura de almacenamiento

Prueba

ºC

-40

85

humedad

RH

%

5

90

 

Tamaño del paquete (mm)

 

 

Curva característica

 

 

Información del pedido

Modulador de intensidad de 20 GHz de niobato de litio de película delgada

ROF TFLN XX XX XX
Modulador de intensidad de niobato de litio de película delgada ancho de banda operativo20G---20GHz Fibra óptica de entrada/salidaPP---PMF-PMF conexiónFA---FC/APCFP---FC/PCSP---especificado por el usuario

  • Anterior:
  • Próximo:

  • Rofea Optoelectronics ofrece una línea de productos que incluye moduladores electroópticos comerciales, moduladores de fase, moduladores de intensidad, fotodetectores, fuentes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láseres SLD, modulación QPSK, láseres de pulsos, detectores de luz, fotodetectores balanceados, controladores láser, amplificadores de fibra óptica, medidores de potencia óptica, láseres de banda ancha, láseres sintonizables, detectores ópticos, controladores de diodos láser y amplificadores de fibra. También ofrecemos muchos moduladores específicos para personalización, como moduladores de fase de matriz 1*4, moduladores de Vpi ultrabajos y moduladores de relación de extinción ultraalta, utilizados principalmente en universidades e institutos.
    Esperamos que nuestros productos le sean útiles a usted y a su investigación.

    Productos relacionados