Fotodetector de silicio ROF Si de ganancia ajustable
Característica
Rango espectral: 320 nm ~ 1100 nm
Ancho de banda de 3 dB: hasta 11 MHz
l Ajuste de ganancia máxima: 4,75 × 10⁶ V/A (carga de alta impedancia)
l Bajo nivel de ruido
Entrada de acoplamiento óptico espacial, acoplamiento de fibra opcional
Solicitud
l Detección de luz débil
Sistema de detección por fibra óptica
Comunicación óptica espacial
Información para realizar pedidos
| Modelo Parámetro | ROF-PR-11M-B | ROF-PR-13M-A |
| Frecuencia de respuesta | CC-11MHz | 13 MHz CC |
| Tipo | Silicio (Si) | Arseniuro de indio y galio (InGaAs) |
| Sensibilidad a la luz 1 | 320 nm ~ 1100 nm | 900 nm ~ 1700 nm |
| Área fotosensible | Ø9,8 mm (75,4 mm)2 ) | Ø1,0 mm (0,8 mm)2 ) |
Nota 1: Valor aproximado; el valor real de la longitud de onda puede variar.
Parámetros
| Especificaciones de rendimiento 2 (KG-PR-11M-B) | |||
| 0 dB configuración | 40 dB configuración | ||
| Ganancia (alta resistencia > 5 kΩ) | 1,50 x 103V/A ±2% | Ganancia (alta resistencia > 5 kΩ) | 1,50 x 105V/A ±2% |
| Ganancia (50 Ω) | 0,75 x 103V/A ±2% | Ganancia (50 Ω) | 0,75 x 105V/A ±2% |
| Ancho de banda de 3 dB 3 | 11 MHz | Ancho de banda de 3 dB | 150 mil |
| Ruido (RMS) | 400uV | Ruido (RMS) | 500uV |
| inclinación | ±8 mV (típico) ±20 mV (máx.) | inclinación | ±8 mV (típico) ±20 mV (máx.) |
| 10 dB configuración | 50 dB configuración | ||
| Ganancia (alta resistencia > 5 kΩ) | 4,75 x 103V/A ±2% | Ganancia (alta resistencia > 5 kΩ) | 4,75 x 105V/A ±2% |
| Ganancia (50 Ω) | 2,38 x 103V/A ±2% | Ganancia (50 Ω) | 2,38 x 105V/A ±2% |
| Ancho de banda de 3 dB | 1,4 MHz | Ancho de banda de 3 dB | 50 mil |
| Ruido (RMS) | 350uV | Ruido (RMS) | 520 µV |
| inclinación | ±8 mV (típico) ±20 mV (máx.) | inclinación | ±8 mV (típico) ±20 mV (máx.) |
| 20 dB configuración | 60 dB configuración | ||
| Ganancia (alta resistencia > 5 kΩ) | 1,50 x 104V/A ±2% | Ganancia (alta resistencia > 5 kΩ) | 1,50 x 106V/A ±2% |
| Ganancia (50 Ω) | 0,75 x 104V/A ±2% | Ganancia (50 Ω) | 0,75 x 106V/A ±2% |
| Ancho de banda de 3 dB | 1,0 MHz | Ancho de banda de 3 dB | 20 mil |
| Ruido (RMS) | 380uV | Ruido (RMS) | 760 µV |
| inclinación | ±8 mV (típico) ±20 mV (máx.) | inclinación | ±8 mV (típico) ±20 mV (máx.) |
| 30 dB configuración | 70 dB configuración | ||
| Ganancia (alta resistencia > 5 kΩ) | 4,75 x 104V/A ±2% | Ganancia (alta resistencia > 5 kΩ) | 4,75 x 106V/A ±2% |
| Ganancia (50 Ω) | 2,38 x 104V/A ±2% | Ganancia (50 Ω) | 2,38 x 106V/A ±2% |
| Ancho de banda de 3 dB | 400 mil | Ancho de banda de 3 dB | 10K |
| Ruido (RMS) | 380uV | Ruido (RMS) | 1,43 mV |
| inclinación | ±8 mV (típico) ±20 mV (máx.) | inclinación | ±8 mV (típico) ±20 mV (máx.) |
Nota 2:ROFEl PR-11M-B cuenta con una resistencia de terminación en serie de 50 Ω (es decir, conectada en serie con la salida del amplificador). Esto forma un divisor de voltaje con cualquier impedancia de carga (como una carga de 50 Ω que divide la señal por la mitad).
Nota 3: Realice la prueba a una longitud de onda de 850 nm. Para longitudes de onda del infrarrojo cercano, el tiempo de subida de los componentes del fotodiodo será más lento, lo que puede limitar el ancho de banda efectivo del detector de amplificación.
Parámetros generales
| Proyecto | sim | valor |
| Tipo de detector | - | Si |
| Superficie fotosensible | - | Ø9,8 mm (75,4 mm)2 ) |
| Longitud de onda máxima | λp | 960 nm (típico) |
| Respuesta máxima | (λp) | 0,72 A/W (típico) |
| impedancia de salida | - | 50Ω |
| amplitud máxima de la corriente de salida | Imax | 100 mA |
| Amplitud máxima de la tensión de salida | Vmax | 10,00 V a alta impedancia 5,00 V a carga de 50 Ω |
| Rango de carga | - | >50 Ω |
| Rango de ajuste de ganancia | - | 0 dB~70 dB |
| Ganar paso | - | 10 dB |
| Interruptor de encendido | - | lado |
| Interruptor de ganancia | - | octava marcha |
| Producción | - | SMA (acoplamiento de CC) |
| Dimensiones del producto | - | 66,6 mm*52,2 mm*22,4 mm |
| Profundidad de la superficie PD 4 | - | 6,1 mm |
| Peso (sin accesorios) | - | 70 g |
| Accesorios | - | Acoplamiento SM1T1, anillo de retención SM1RR |
| Fuente de alimentación | - | Adaptador de CA a CC de ± 12 V |
| Potencia de la fuente de alimentación | - | 6 W 100V/120V/230V, 50-60 Hz |
Nota 4: La altura aproximada desde la superficie de la estructura de la carcasa hasta la superficie del fotodiodo puede provocar errores de instalación en la práctica.
Condición limitante
| Parámetro | sim | Unidad | Min | Típico | Máximo |
| Potencia óptica de entrada | Alfiler | mW | - | - | 25 |
| Voltaje de funcionamiento | Voz | V | ±10,8 | ±12 | ±13,2 |
| Temperatura de funcionamiento | Arriba | ºC | -10 | - | 60 |
| Temperatura de almacenamiento | Prueba | ºC | -40 | - | 85 |
| humedad | RH | % | 5 | - | 90 |
Curva
Curva característica
ROFDiagrama de respuesta de sensibilidad PR-11M-B
Tamaño del paquete (mm)
Sobre nosotros
Rofea Optoelectronics exhibe una amplia gama de productos electroópticos que incluyen moduladores, fotodetectores, fuentes láser, láseres dfb, amplificadores ópticos, EDFA, láseres SLD, modulación QPSK, láseres pulsados, fotodetectores, fotodetectores balanceados, láseres semiconductores, controladores láser, acopladores de fibra, láseres pulsados, amplificadores de fibra, medidores de potencia óptica, láseres de banda ancha, láseres sintonizables, retardos ópticos, moduladores electroópticos, fotodetectores, controladores de diodos láser, amplificadores de fibra, amplificadores de fibra dopada con erbio y láseres de fuente.
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