Modulador Rof TFLN 70G Modulador de intensidad de película delgada de niobato de litio
Característica
■ El ancho de banda de radiofrecuencia puede alcanzar hasta 70 GHz como máximo.
■ Bajo voltaje de media onda
■ La pérdida de inserción es tan baja como 5 dB.
■ Tamaño pequeño del dispositivo
Parámetro Banda C
* personalizable
** Se puede personalizar una alta relación de extinción (> 25 dB).
| Ccategoría | Parácmetro | Símbolo | Unidad | Indicador |
| Rendimiento óptico (a 25 °C) | Longitud de onda de trabajo (*) | λ | nm | ~1550 |
| Relación de extinción óptica (@ CC) (**) | ER | dB | ≥ 20 | |
| pérdida de retorno óptico | ORL | dB | ≤ -27 | |
| Pérdida de inserción óptica | IL | dB | Valor máximo: 6 Valor típico: 5 | |
| Rendimiento eléctrico (a 25 °C) | Ancho de banda electroóptico de 3 dB (a partir de 2 GHz) | S21 | GHz | Valor máximo: 63 Valor típico: 65 |
| Voltaje de media onda de radiofrecuencia (a 50 kHz) | Vπ | V | ≤ 4 | |
| Potencia de media onda con polarización modulada por calor | Pπ | mW | ≤ 50 | |
| pérdida de retorno de radiofrecuencia | S11 | dB | ≤ -10 | |
| Condiciones de funcionamiento | Temperatura de funcionamiento (* | TO | °C | -20~70 |
Umbral de daño
Si el dispositivo supera el umbral máximo de daños, sufrirá daños irreversibles, y este tipo de daños no están cubiertos por el servicio de mantenimiento.
| Parácmetro | Símbolo | Min | Máximo | Unidad |
| potencia de entrada de RF | Pecado | - | 18 | dBm |
| voltaje de oscilación de entrada de RF | Vpp | -2.5 | +2.5 | V |
| Voltaje cuadrático medio de entrada de RF | Vrms | - | 1,78 | V |
| Potencia de entrada óptica | Alfiler | - | 20 | dBm |
| tensión de polarización térmica | Uheater | - | 4.5 | V |
| Corriente de polarización térmica | Calentador | - | 50 | mA |
| temperatura de almacenamiento | TS | -40 | 85 | ℃ |
| Humedad relativa (sin condensación) | RH | 5 | 90 |
Dimensiones del encapsulado y definición de los pines (unidad: mm)
Nota: tamaño sin marcar ± 0,15 mm;
Los datos marcados con REF. son solo un valor de referencia.
| N | Símbolo | Ddescripción |
| 1 | - | indefinido |
| 2 | - | indefinido |
| 3 | Calentador | Electrodo de polarización termostática |
| 4 | Calentador | Electrodo de polarización termostática |
| 5 | MPD0+ | Monitorización de la luz de salida del modulador Ánodo fotodetector |
| 6 | MPD0- | Monitoreo de la luz de salida del modulador del cátodo PD |
| RF | Conector RF | Conector K de 1,0 mm |
| In | Fibra óptica entrante | FC/APC, PMF |
| Afuera | Fibra óptica saliente | FC/APC, PMF |
* Conector personalizable de 1,85 mm o conector en J.
Muestra de prueba S21
HIGO1: S21
HIGO2: S11
Protección contra descargas electrostáticas (ESD)
Este producto contiene un componente sensible a la descarga electrostática (MPD) y debe utilizarse con las medidas de protección ESD necesarias.
Información del pedido
N.º de pieza: R-TFLN-70G-XX-XX-XX
Descripción del producto: Modulador de intensidad de niobato de litio de película delgada en banda C de 70 GHz.
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Sobre nosotros
En Rofea Optoelectronics, ofrecemos una amplia gama de productos electroópticos para satisfacer sus necesidades, incluyendo moduladores comerciales, fuentes láser, fotodetectores, amplificadores ópticos y mucho más.
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Rofea Optoelectronics ofrece una línea de productos que incluye moduladores electroópticos comerciales, moduladores de fase, moduladores de intensidad, fotodetectores, fuentes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láseres SLD, modulación QPSK, láseres de pulsos, detectores de luz, fotodetectores balanceados, controladores láser, amplificadores de fibra óptica, medidores de potencia óptica, láseres de banda ancha, láseres sintonizables, detectores ópticos, controladores de diodos láser y amplificadores de fibra. También ofrecemos muchos moduladores específicos para personalización, como moduladores de fase de matriz 1*4, moduladores de Vpi ultrabajos y moduladores de relación de extinción ultraalta, utilizados principalmente en universidades e institutos.
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