Modulador de intensidad Rof, modulador de niobato de litio de película delgada, modulador TFLN 40G

Modulador de intensidad Rof, modulador de niobato de litio de película delgada 40G, modulador TFLN. Imagen destacada.

Breve descripción:

El material de niobato de litio en película delgada sobre aislante (LNOI) hereda las excelentes propiedades electroópticas del niobato de litio en masa, ofreciendo una nueva solución para chips moduladores electroópticos de alta velocidad que pueden integrarse, miniaturizarse y presentan una alta eficiencia de modulación. Hemos desarrollado un modulador electroóptico de película delgada de LiNbO3 de banda ancha y bajo voltaje de media onda basado en material LNOI. Nuestro producto posee excelentes características de alta estabilidad, baja pérdida de inserción y tamaño reducido, lo que resulta más ventajoso que los moduladores de niobato de litio tradicionales en masa, y ofrece amplias perspectivas de aplicación en los campos de la comunicación óptica de alta velocidad y la fotónica de microondas.

Envíanos un correo electrónico DESCARGAR

Detalles del producto

Rofea Optoelectronics ofrece productos de moduladores electroópticos ópticos y fotónicos.

Etiquetas de producto

Característica

Ancho de banda alto, bajas pérdidas, bajo voltaje de accionamiento, tamaño pequeño, alta estabilidad

Campo

Comunicación óptica de alta velocidad, fotónica de microondas, radar, etc.

Modulador de intensidad EOM Rof 20G, modulador de niobato de litio de película delgada, modulador TFLN

Parámetro

Parácmetro	Sym	indicador	Unidad
longitud de onda de trabajo	λ	1530~1565	nm
pérdida de inserción óptica	IL	≤ 5,5 (Típico 4,5)	dB
tasa de extinción	ER	≥ 25	dB
pérdida de retorno óptico	RL	≤ -30	dB
Potencia óptica de entrada máxima	P_in	≤ 200	mW
Ancho de banda de modulación electroóptica (3 dB, desde 2 GHz)	BW	≥ 40	GHz
Voltaje de media onda de RF a 50 kHz	Vπ	≤ 3,5	V
Reflexión de RF	S₁₁	≤ -10	dB
Potencia máxima de entrada de RF	S_in	≤ 25	dBm
Potencia de media onda con polarización térmica	Pπ	50	mW
tensión de polarización térmica	U_calentador	< 8	V
Temperatura de funcionamiento	T_O	-55~85	℃
Temperatura de almacenamiento	T_S	-55~85	℃

Información del pedido

Sym	Ddescripción	Parámetro opcional
λ	longitud de onda de trabajo	C (~1550 nm)，O (~1310 nm)
BW	Ancho de banda de 3 dB	40 (40 GHz)
PD	Monitorización de la PD	1 (integrado), 0 (no integrado)
IF	Fibra óptica de entrada	P (fibra que mantiene la polarización)
OF	Fibra óptica de salida	P (fibra que mantiene la polarización), S (fibra monomodo estándar)
S	Voltaje de media onda	Estándar S

Tamaño del paquete y definición del pin

Pen definición:

Stizón	Función
RF	Entrada RF, cabezal hembra de 1,85 mm
A	Electrodo de polarización termostática (positivo y negativo)
B	Electrodo de polarización termostática
C	Electrodo de polarización de ajuste térmico de respaldo
D	Electrodo de polarización de ajuste térmico de respaldo

Anterior: Modulador de fase electroóptico de alta velocidad de 2 µm con Rof de 2000 nm

Próximo: Fotodetector de silicio ROF Si de ganancia ajustable

Rofea Optoelectronics ofrece una línea de productos que incluye moduladores electroópticos comerciales, moduladores de fase, moduladores de intensidad, fotodetectores, fuentes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láseres SLD, modulación QPSK, láseres de pulsos, detectores de luz, fotodetectores balanceados, controladores láser, amplificadores de fibra óptica, medidores de potencia óptica, láseres de banda ancha, láseres sintonizables, detectores ópticos, controladores de diodos láser y amplificadores de fibra. También ofrecemos muchos moduladores específicos para personalización, como moduladores de fase de matriz 1*4, moduladores de Vpi ultrabajos y moduladores de relación de extinción ultraalta, utilizados principalmente en universidades e institutos.
Esperamos que nuestros productos le sean útiles a usted y a su investigación.

Productos relacionados