Modulador de intensidad de película delgada de niobato de litio 20G TFLN

Descripción breve:

Modulador Rof 20G TFLN. El modulador de intensidad de niobato de litio de película delgada es un dispositivo de conversión electroóptica de alto rendimiento, desarrollado íntegramente por nuestra empresa y con derechos de propiedad intelectual propios. El producto se integra mediante tecnología de acoplamiento de alta precisión para lograr una eficiencia de conversión electroóptica ultraelevada. En comparación con los moduladores de cristal de niobato de litio tradicionales, este producto se caracteriza por su baja tensión de media onda, alta estabilidad, tamaño reducido y control de polarización termoóptica, lo que permite su amplia aplicación en comunicaciones ópticas digitales, fotónica de microondas, redes troncales de comunicaciones y proyectos de investigación en comunicaciones.

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Detalles del producto

Rofea Optoelectronics ofrece productos moduladores electroópticos ópticos y fotónicos.

Etiquetas de producto

Característica

■ Ancho de banda de RF de hasta 20/40 GHz

■ Baja tensión de media onda

■ Pérdida de inserción de tan solo 4,5 dB

■ Tamaño del dispositivo pequeño

Modulador de intensidad Rof EOM, modulador de niobato de litio de película delgada 20G, modulador TFLN

Parámetro de banda C

Categoría	Argumento	Símbolo	Uni	Aointer
Rendimiento óptico (@25°C)	Longitud de onda de funcionamiento (*)	λ	nm	X2：C
				~1550
	Relación de extinción óptica (@DC) (**)	ER	dB	≥ 20
	pérdida de retorno óptico	ORL	dB	≤ -27
	Pérdida de inserción óptica (*)	IL	dB	MÁX.: 5,5 TÍP.: 4,5
Propiedades eléctricas (@25°C)	Ancho de banda electroóptico de 3 dB (desde 2 GHz)	S21	GHz	X1: 2	X1: 4
				Mín.: 18 Típ.: 20	Mín.: 36 Típ.: 40
	Tensión de media onda de RF (@50 kHz)	V_π	V	X3：5	X3：6
				MÁX.: 3,0 TÍP.: 2,5	MÁX.: 3,5 TÍP.: 3,0
	Potencia de media onda de polarización modulada por calor	Pπ	mW	≤ 50
	Pérdida de retorno de RF (de 2 GHz a 40 GHz)	S11	dB	≤ -10
Condiciones de funcionamiento	Temperatura de funcionamiento	TO	°C	-20~70

* personalizable** Se puede personalizar una alta relación de extinción (> 25 dB).

Parámetro de la banda O

Categoría	Argumento	Símbolo	Uni	Aointer
Rendimiento óptico (@25°C)	Longitud de onda de funcionamiento (*)	λ	nm	X2：O
				~1310
	Relación de extinción óptica (@DC) (**)	ER	dB	≥ 20
	pérdida de retorno óptico	ORL	dB	≤ -27
	Pérdida de inserción óptica (*)	IL	dB	MÁX.: 5,5 TÍP.: 4,5
Propiedades eléctricas (@25°C)	Ancho de banda electroóptico de 3 dB (desde 2 GHz)	S21	GHz	X1: 2	X1: 4
				Mín.: 18 Típ.: 20	Mín.: 36 Típ.: 40
	Tensión de media onda de RF (@50 kHz)	V_π	V	X3：4
				MÁX.: 2,5 TÍP.: 2,0
	Potencia de media onda de polarización modulada por calor	Pπ	mW	≤ 50
	Pérdida de retorno de RF (de 2 GHz a 40 GHz)	S11	dB	≤ -10
Condiciones de funcionamiento	Temperatura de funcionamiento	TO	°C	-20~70

* personalizable** Se puede personalizar una alta relación de extinción (> 25 dB).

Umbral de daño

Si el dispositivo supera el umbral máximo de daños, sufrirá daños irreversibles, y este tipo de daños no está cubierto por el servicio de mantenimiento.

Aargumento	Símbolo	Selegible	MÍNIMO	MÁXIMO	Uni
Potencia de entrada de RF	Pecado	-	18	dBm	Pecado
tensión de oscilación de entrada de RF	Vpp	-2,5	+2.5	V	Vpp
Tensión RMS de entrada de RF	Vrms	-	1.78	V	Vrms
Potencia de entrada óptica	Alfiler	-	20	dBm	Alfiler
Tensión de polarización termoajustada	Calentador U	-	4.5	V	Calentador U
Corriente de polarización de sintonización en caliente	Iheater	-	50	mA	Iheater
Temperatura de almacenamiento	TS	-40	85	°C	TS
Humedad relativa (sin condensación)	RH	5	90	%	RH

Muestra de prueba S21

HIGO1: S21

HIGO2: S11

Información del pedido

Modulador de intensidad de niobato de litio de película delgada de 20 GHz/40 GHz

seleccionable	Descripción	seleccionable
X1	Ancho de banda electroóptico de 3 dB	2or4
X2	Longitud de onda de funcionamiento	O or C
X3	Potencia máxima de entrada de RF	Banda C5 or 6	O-banda4

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Rofea Optoelectronics ofrece una línea de productos que incluye moduladores electroópticos comerciales, moduladores de fase, moduladores de intensidad, fotodetectores, fuentes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láseres SLD, modulación QPSK, láseres pulsados, detectores de luz, fotodetectores balanceados, controladores de láser, amplificadores de fibra óptica, medidores de potencia óptica, láseres de banda ancha, láseres sintonizables, controladores de diodos láser y amplificadores de fibra. También ofrecemos moduladores personalizados, como moduladores de fase de matriz 1x4, moduladores de Vpi ultrabajos y moduladores de relación de extinción ultraalta, utilizados principalmente en universidades e institutos.
Esperamos que nuestros productos les sean útiles a ustedes y a su investigación.

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