Modulador de intensidad Rof, modulador de niobato de litio de película delgada, modulador TFLN 20G

Breve descripción:

Modulador TFLN Rof 20G. Este modulador de intensidad de niobato de litio de película delgada es un dispositivo de conversión electroóptica de alto rendimiento, desarrollado de forma independiente por nuestra empresa y con derechos de propiedad intelectual totalmente propios. El producto incorpora tecnología de acoplamiento de alta precisión para lograr una eficiencia de conversión electroóptica ultraelevada. En comparación con los moduladores de cristal de niobato de litio tradicionales, este producto se caracteriza por su bajo voltaje de media onda, alta estabilidad, tamaño reducido y control de polarización termoóptica, lo que permite su amplia aplicación en comunicaciones ópticas digitales, fotónica de microondas, redes troncales de comunicación y proyectos de investigación en comunicaciones.

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Detalles del producto

Rofea Optoelectronics ofrece productos de moduladores electroópticos ópticos y fotónicos.

Etiquetas de producto

Característica

■ Ancho de banda de RF de hasta 20/40 GHz

■ Bajo voltaje de media onda

■ Pérdida de inserción tan baja como 4,5 dB

■ Tamaño pequeño del dispositivo

Modulador de intensidad EOM Rof 20G, modulador de niobato de litio de película delgada, modulador TFLN

Parámetro Banda C

Categoría	Argumento	Sim	Uni	Unificador
Rendimiento óptico (A 25 °C)	Longitud de onda de funcionamiento (*)	λ	nm	X2：C
				~1550
	Relación de extinción óptica (@DC) (**)	ER	dB	≥ 20
	pérdida de retorno óptico	ORL	dB	≤ -27
	Pérdida de inserción óptica (*)	IL	dB	MÁX.: 5,5 Típ.: 4,5
Propiedades eléctricas (a 25 °C)	Ancho de banda electroóptico de 3 dB (desde 2 GHz)	S21	GHz	X1: 2	X1: 4
				MÍN.: 18 Típ.: 20	MÍN.: 36 Típ.: 40
	Voltaje de media onda de RF (a 50 kHz)	V_π	V	X3：5	X3：6
				MÁX.: 3.0 Típ.: 2.5	MÁX: 3,5 Típico: 3,0
	Potencia de media onda con polarización modulada por calor	Pπ	mW	≤ 50
	Pérdida de retorno de RF (de 2 GHz a 40 GHz)	S11	dB	≤ -10
Estado de funcionamiento	Temperatura de funcionamiento	TO	°C	-20~70

* personalizable** Se puede personalizar una alta relación de extinción (> 25 dB).

Parámetro Banda O

Categoría	Argumento	Sim	Uni	Unificador
Rendimiento óptico (A 25 °C)	Longitud de onda de funcionamiento (*)	λ	nm	X2：O
				~1310
	Relación de extinción óptica (@DC) (**)	ER	dB	≥ 20
	pérdida de retorno óptico	ORL	dB	≤ -27
	Pérdida de inserción óptica (*)	IL	dB	MÁX.: 5,5 Típ.: 4,5
Propiedades eléctricas (a 25 °C)	Ancho de banda electroóptico de 3 dB (desde 2 GHz)	S21	GHz	X1: 2	X1: 4
				MÍN.: 18 Típ.: 20	MÍN.: 36 Típ.: 40
	Voltaje de media onda de RF (a 50 kHz)	V_π	V	X3：4
				MÁX: 2,5 Típico: 2,0
	Potencia de media onda con polarización modulada por calor	Pπ	mW	≤ 50
	Pérdida de retorno de RF (de 2 GHz a 40 GHz)	S11	dB	≤ -10
Estado de funcionamiento	Temperatura de funcionamiento	TO	°C	-20~70

* personalizable** Se puede personalizar una alta relación de extinción (> 25 dB).

Umbral de daño

Si el dispositivo supera el umbral máximo de daños, sufrirá daños irreversibles, y este tipo de daños no están cubiertos por el servicio de mantenimiento.

Aargumento	Sim	Selegible	MIN	MÁXIMO	Uni
potencia de entrada de RF	Pecado	-	18	dBm	Pecado
voltaje de oscilación de entrada de RF	Vpp	-2.5	+2.5	V	Vpp
Voltaje RMS de entrada de RF	Vrms	-	1,78	V	Vrms
Potencia de entrada óptica	Alfiler	-	20	dBm	Alfiler
Voltaje de polarización termoajustado	Uheater	-	4.5	V	Uheater
Corriente de polarización de ajuste en caliente	Calentador	-	50	mA	Calentador
Temperatura de almacenamiento	TS	-40	85	℃	TS
Humedad relativa (sin condensación)	RH	5	90	%	RH

Muestra de prueba S21

HIGO1: S21

HIGO2: S11

Información del pedido

Modulador de intensidad de niobato de litio de película delgada de 20 GHz/40 GHz

seleccionable	Descripción	seleccionable
X1	Ancho de banda electroóptico de 3 dB	2or4
X2	Longitud de onda de funcionamiento	O or C
X3	Potencia máxima de entrada de RF	banda C5 or 6	O-banda4

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Rofea Optoelectronics ofrece una línea de productos que incluye moduladores electroópticos comerciales, moduladores de fase, moduladores de intensidad, fotodetectores, fuentes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láseres SLD, modulación QPSK, láseres de pulsos, detectores de luz, fotodetectores balanceados, controladores láser, amplificadores de fibra óptica, medidores de potencia óptica, láseres de banda ancha, láseres sintonizables, detectores ópticos, controladores de diodos láser y amplificadores de fibra. También ofrecemos muchos moduladores específicos para personalización, como moduladores de fase de matriz 1*4, moduladores de Vpi ultrabajos y moduladores de relación de extinción ultraalta, utilizados principalmente en universidades e institutos.
Esperamos que nuestros productos le sean útiles a usted y a su investigación.

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