Modulador de intensidad Rof EOM Modulador electroóptico de niobato de litio de película delgada de 20G

Descripción breve:

El modulador de intensidad de niobato de litio de película delgada es un dispositivo de conversión electroóptica de alto rendimiento, desarrollado independientemente por nuestra empresa y con plenos derechos de propiedad intelectual. El producto se fabrica mediante tecnología de acoplamiento de alta precisión para lograr una altísima eficiencia de conversión electroóptica. En comparación con el modulador de cristal de niobato de litio tradicional, este producto se caracteriza por su bajo voltaje de media onda, alta estabilidad, tamaño compacto y control de polarización termoóptica. Además, se puede utilizar ampliamente en comunicaciones ópticas digitales, fotónica de microondas, redes troncales de comunicación y proyectos de investigación en comunicaciones.

Envíanos un correo electrónico DESCARGAR

Detalle del producto

Rofea Optoelectronics ofrece productos de moduladores electro-ópticos ópticos y fotónicos.

Etiquetas de productos

Característica

■ Ancho de banda de RF de hasta 20/40 GHz

■ Voltaje de media onda bajo

■ Pérdida de inserción tan baja como 4,5 dB

■ Dispositivo de tamaño pequeño

Modulador de intensidad Rof EOM, modulador de niobato de litio de película fina de 20G, modulador TFLN

Parámetro Banda C

Categoría	Argumento	Símbolo	Uni	Aointer
Rendimiento óptico (@25°C)	Longitud de onda de funcionamiento (*)	λ	nm	X2：C
				~1550
	Relación de extinción óptica (@DC) (**)	ER	dB	≥ 20
	Pérdida de retorno óptica	ORL	dB	≤ -27
	Pérdida de inserción óptica (*)	IL	dB	MÁX: 5.5Típico: 4.5
Propiedades eléctricas (@25°C)	Ancho de banda electroóptico de 3 dB (desde 2 GHz)	S21	GHz	X1: 2	X1: 4
				MÍN: 18Típico: 20	MÍN: 36Típico: 40
	Voltaje de media onda de RF (@50 kHz)	V_π	V	X3：5	X3：6
				MÁX: 3.0Típico: 2.5	MÁX: 3,5 Típico: 3,0
	Potencia de media onda de polarización modulada por calor	Pπ	mW	≤ 50
	Pérdida de retorno de RF (2 GHz a 40 GHz)	S11	dB	≤ -10
Condiciones de trabajo	Temperatura de funcionamiento	TO	°C	-20~70

* personalizable** Se puede personalizar una alta relación de extinción (> 25 dB).

Parámetro O-band

Categoría	Argumento	Símbolo	Uni	Aointer
Rendimiento óptico (@25°C)	Longitud de onda de funcionamiento (*)	λ	nm	X2：O
				~1310
	Relación de extinción óptica (@DC) (**)	ER	dB	≥ 20
	Pérdida de retorno óptica	ORL	dB	≤ -27
	Pérdida de inserción óptica (*)	IL	dB	MÁX: 5.5Típico: 4.5
Propiedades eléctricas (@25°C)	Ancho de banda electroóptico de 3 dB (desde 2 GHz)	S21	GHz	X1: 2	X1: 4
				MÍN: 18Típico: 20	MÍN: 36Típico: 40
	Voltaje de media onda de RF (@50 kHz)	V_π	V	X3：4
				MÁX: 2.5Típico: 2.0
	Potencia de media onda de polarización modulada por calor	Pπ	mW	≤ 50
	Pérdida de retorno de RF (2 GHz a 40 GHz)	S11	dB	≤ -10
Condiciones de trabajo	Temperatura de funcionamiento	TO	°C	-20~70

* personalizable** Se puede personalizar una alta relación de extinción (> 25 dB).

Umbral de daño

Si el dispositivo excede el umbral de daño máximo, provocará daños irreversibles en el dispositivo y este tipo de daño al dispositivo no está cubierto por el servicio de mantenimiento.

Aargumento	Símbolo	Selegible	MÍNIMO	MÁXIMO	Uni
Potencia de entrada de RF	Pecado	-	18	dBm	Pecado
Voltaje de oscilación de entrada de RF	Vicepresidente	-2.5	+2.5	V	Vicepresidente
Voltaje RMS de entrada de RF	Vrms	-	1.78	V	Vrms
Potencia de entrada óptica	Alfiler	-	20	dBm	Alfiler
Tensión de polarización termoajustada	Calentador	-	4.5	V	Calentador
Corriente de polarización de sintonización en caliente	Calentador	-	50	mA	Calentador
Temperatura de almacenamiento	TS	-40	85	°C	TS
Humedad relativa (sin condensación)	RH	5	90	%	RH

Muestra de prueba S21

HIGO1: S21

HIGO2: S11

Información del pedido

Modulador de intensidad de película delgada de niobato de litio de 20 GHz/40 GHz

seleccionable	Descripción	seleccionable
X1	Ancho de banda electroóptico de 3 dB	2or4
X2	Longitud de onda de funcionamiento	O or C
X3	Potencia máxima de entrada de RF	Banda C5 or 6	O-banda4

Anterior: Modulador electroóptico Rof de 1550 nm, serie AM, modulador de intensidad de alta relación de extinción

Próximo: Modulador electroóptico Rof de 1550 nm, modulador de banda lateral única con supresión de portadora, modulador SSB

Rofea Optoelectronics ofrece una línea de productos que incluye moduladores electroópticos comerciales, moduladores de fase, moduladores de intensidad, fotodetectores, fuentes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láser SLD, modulación QPSK, láser de pulsos, detectores de luz, fotodetectores balanceados, controladores láser, amplificadores de fibra óptica, medidores de potencia óptica, láseres de banda ancha, láseres sintonizables, detectores ópticos, controladores de diodos láser y amplificadores de fibra. También ofrecemos una amplia gama de moduladores personalizados, como moduladores de fase de matriz 1*4, moduladores de Vpi ultrabajos y moduladores de relación de extinción ultraalta, utilizados principalmente en universidades e institutos.
Esperamos que nuestros productos le sean útiles a usted y a su investigación.

Productos relacionados

Modulador electroóptico Rof 1550 nm Modulador de intensidad serie AM 40G