Modulador de intensidad EOM de Rof, película delgada de niobato de litio 20G, modulador electroóptico

Breve descripción:

El modulador de intensidad de niobato de litio de película delgada es un dispositivo de conversión electroóptica de alto rendimiento, desarrollado de forma independiente por nuestra empresa y con derechos de propiedad intelectual totalmente propios. El producto incorpora tecnología de acoplamiento de alta precisión para lograr una eficiencia de conversión electroóptica ultraelevada. En comparación con el modulador de cristal de niobato de litio tradicional, este producto se caracteriza por su bajo voltaje de media onda, alta estabilidad, tamaño reducido y control de polarización termoóptica, y puede utilizarse ampliamente en comunicaciones ópticas digitales, fotónica de microondas, redes troncales de comunicación y proyectos de investigación en comunicaciones.


Detalles del producto

Rofea Optoelectronics ofrece productos de moduladores electroópticos ópticos y fotónicos.

Etiquetas de producto

Característica

■ Ancho de banda de RF de hasta 20/40 GHz

■ Bajo voltaje de media onda

■ Pérdida de inserción tan baja como 4,5 dB

■ Tamaño pequeño del dispositivo

Modulador de intensidad EOM Rof 20G, modulador de niobato de litio de película delgada, modulador TFLN

Parámetro Banda C

Categoría

Argumento

Sim Uni Unificador

Rendimiento óptico

(A 25 °C)

Longitud de onda de funcionamiento (*) λ nm X2C
~1550
Relación de extinción óptica (@DC) (**) ER dB ≥ 20

pérdida de retorno óptico

ORL dB ≤ -27

Pérdida de inserción óptica (*)

IL dB MÁX.: 5,5 Típ.: 4,5

Propiedades eléctricas (a 25 °C)

Ancho de banda electroóptico de 3 dB (desde 2 GHz)

S21 GHz X1: 2 X1: 4
MÍN.: 18 Típ.: 20 MÍN.: 36 Típ.: 40

Voltaje de media onda de RF (a 50 kHz)

Vπ V X35 X36
MÁX.: 3.0 Típ.: 2.5 MÁX: 3,5 Típico: 3,0
Potencia de media onda con polarización modulada por calor mW ≤ 50

Pérdida de retorno de RF (de 2 GHz a 40 GHz)

S11 dB ≤ -10

Estado de funcionamiento

Temperatura de funcionamiento

TO °C -20~70

* personalizable** Se puede personalizar una alta relación de extinción (> 25 dB).

Parámetro Banda O

Categoría

Argumento

Sim Uni Unificador

Rendimiento óptico

(A 25 °C)

Longitud de onda de funcionamiento (*) λ nm X2O
~1310
Relación de extinción óptica (@DC) (**) ER dB ≥ 20

pérdida de retorno óptico

ORL dB ≤ -27

Pérdida de inserción óptica (*)

IL dB MÁX.: 5,5 Típ.: 4,5

Propiedades eléctricas (a 25 °C)

Ancho de banda electroóptico de 3 dB (desde 2 GHz)

S21 GHz X1: 2 X1: 4
MÍN.: 18 Típ.: 20 MÍN.: 36 Típ.: 40

Voltaje de media onda de RF (a 50 kHz)

Vπ V X34
MÁX: 2,5 Típico: 2,0
Potencia de media onda con polarización modulada por calor mW ≤ 50

Pérdida de retorno de RF (de 2 GHz a 40 GHz)

S11 dB ≤ -10

Estado de funcionamiento

Temperatura de funcionamiento

TO °C -20~70

* personalizable** Se puede personalizar una alta relación de extinción (> 25 dB).

Umbral de daño

Si el dispositivo supera el umbral máximo de daños, sufrirá daños irreversibles, y este tipo de daños no están cubiertos por el servicio de mantenimiento.

Aargumento

Sim Selegible MIN MÁXIMO Uni

potencia de entrada de RF

Pecado - 18 dBm Pecado

voltaje de oscilación de entrada de RF

Vpp -2.5 +2.5 V Vpp

Voltaje RMS de entrada de RF

Vrms - 1,78 V Vrms

Potencia de entrada óptica

Alfiler - 20 dBm Alfiler

Voltaje de polarización termoajustado

Uheater - 4.5 V Uheater

Corriente de polarización de ajuste en caliente

Calentador - 50 mA Calentador

Temperatura de almacenamiento

TS -40 85 TS

Humedad relativa (sin condensación)

RH 5 90 % RH

Muestra de prueba S21

HIGO1: S21

HIGO2: S11

Información del pedido

Modulador de intensidad de niobato de litio de película delgada de 20 GHz/40 GHz

seleccionable Descripción seleccionable
X1 Ancho de banda electroóptico de 3 dB 2or4
X2 Longitud de onda de funcionamiento O or C
X3 Potencia máxima de entrada de RF banda C5 or 6 O-banda4

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  • Rofea Optoelectronics ofrece una línea de productos que incluye moduladores electroópticos comerciales, moduladores de fase, moduladores de intensidad, fotodetectores, fuentes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láseres SLD, modulación QPSK, láseres de pulsos, detectores de luz, fotodetectores balanceados, controladores láser, amplificadores de fibra óptica, medidores de potencia óptica, láseres de banda ancha, láseres sintonizables, detectores ópticos, controladores de diodos láser y amplificadores de fibra. También ofrecemos muchos moduladores específicos para personalización, como moduladores de fase de matriz 1*4, moduladores de Vpi ultrabajos y moduladores de relación de extinción ultraalta, utilizados principalmente en universidades e institutos.
    Esperamos que nuestros productos le sean útiles a usted y a su investigación.

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