Modulador de intensidad Rof TFLN 70G Modulador de niobato de litio de película fina
Característica
■ El ancho de banda de radiofrecuencia puede alcanzar hasta 70 GHz como máximo.
■ Voltaje de media onda bajo
■ La pérdida de inserción es tan baja como 5 dB
■ Dispositivo de tamaño pequeño
Parámetro Banda C
* personalizable
**Se puede personalizar la alta relación de extinción (> 25 dB).
| Ccategoría | Pparámetro | Símbolo | Unidad | Indicador |
| Rendimiento óptico (a 25 °C) | Longitud de onda de trabajo (*) | λ | nm | ~1550 |
| Relación de extinción óptica (@ DC) (**) | ER | dB | ≥ 20 | |
| Pérdida de retorno óptica | ORL | dB | ≤ -27 | |
| Pérdida de inserción óptica | IL | dB | Valor máximo: 6Valor típico: 5 | |
| Rendimiento eléctrico (@ 25 °C) | Ancho de banda electroóptico de 3 dB (a partir de 2 GHz) | S21 | GHz | Valor máximo: 63 Valor típico: 65 |
| Voltaje de media onda de radiofrecuencia (@ 50 kHz) | Vπ | V | ≤ 4 | |
| Potencia de media onda de polarización modulada por calor | Pπ | mW | ≤ 50 | |
| Pérdida de retorno de radiofrecuencia | S11 | dB | ≤ -10 | |
| Condiciones de funcionamiento | Temperatura de funcionamiento (* | TO | °C | -20~70 |
Umbral de daño
Si el dispositivo excede el umbral de daño máximo, provocará daños irreversibles en el dispositivo y este tipo de daño al dispositivo no está cubierto por el servicio de mantenimiento.
| Pparámetro | Símbolo | Mínimo | Máximo | Unidad |
| Potencia de entrada de RF | Pecado | - | 18 | dBm |
| Voltaje de oscilación de entrada de RF | Vicepresidente | -2.5 | +2.5 | V |
| Voltaje cuadrático medio de la entrada de RF | Vrms | - | 1.78 | V |
| Potencia de entrada óptica | Alfiler | - | 20 | dBm |
| Tensión de polarización térmica | Calentador | - | 4.5 | V |
| Corriente de polarización térmica | Calentador | - | 50 | mA |
| temperatura de almacenamiento | TS | -40 | 85 | °C |
| Humedad relativa (sin condensación) | RH | 5 | 90 |
Dimensiones del paquete y definición de pines (unidad: mm)
Nota: tamaño sin marcar ± 0,15 mm;
Los datos marcados con REF. son sólo un valor de referencia.
| N | Símbolo | DDescripción |
| 1 | - | indefinido |
| 2 | - | indefinido |
| 3 | Calentador | Electrodo de polarización termostático |
| 4 | Calentador | Electrodo de polarización termostático |
| 5 | MPD0+ | Monitoreo de luz de salida del modulador Ánodo PD |
| 6 | MPD0- | Monitoreo de luz de salida del modulador PD cátodo |
| RF | Conector RF | Conector K de 1,0 mm |
| In | Fibra óptica entrante | FC/APC, PMF |
| Afuera | Fibra óptica saliente | FC/APC, PMF |
* Conector de 1,85 mm o conector J personalizable.
Muestra de prueba S21
HIGO1: S21
HIGO2: S11
Protección contra descargas electrostáticas (ESD)
Este producto contiene un componente sensible a ESD (MPD) y debe utilizarse con las medidas de protección ESD necesarias.
Información del pedido
N.º de pieza: R-TFLN-70G-XX-XX-XX
Descripción del producto: Modulador de intensidad de niobato de litio de película delgada de banda C de 70 GHz.
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Sobre nosotros
En Rofea Optoelectronics, ofrecemos una amplia gama de productos electroópticos para satisfacer sus necesidades, incluidos moduladores comerciales, fuentes láser, fotodetectores, amplificadores ópticos y más.
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Rofea Optoelectronics ofrece una línea de productos que incluye moduladores electroópticos comerciales, moduladores de fase, moduladores de intensidad, fotodetectores, fuentes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láser SLD, modulación QPSK, láser de pulsos, detectores de luz, fotodetectores balanceados, controladores láser, amplificadores de fibra óptica, medidores de potencia óptica, láseres de banda ancha, láseres sintonizables, detectores ópticos, controladores de diodos láser y amplificadores de fibra. También ofrecemos una amplia gama de moduladores personalizados, como moduladores de fase de matriz 1*4, moduladores de VPI ultrabajos y moduladores de relación de extinción ultraalta, utilizados principalmente en universidades e institutos.
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