Fotodetector de silicio ROF de 2,5 GHz con ganancia fija y alto ancho de banda.

Descripción breve:

La serie ROF-BPR del módulo de detección de luz balanceada (fotodetector balanceado fotodetector de silicio) integra dos fotodiodos coincidentes y un amplificador de transimpedancia de ruido ultra bajo, reduciendo efectivamente el ruido del láser y el ruido de modo común, mejorando la relación de ruido del sistema, teniendo una variedad de respuesta espectral opcional, bajo ruido, alta ganancia, fácil de usar, etc., se utiliza principalmente para espectroscopia, detección heterodina, medición de retardo óptico, tomografía de coherencia óptica y otros campos.

El módulo de detección balanceada de alta ganancia, optimizado para el sistema OCT de tercera generación (SS-OCT), ofrece alta ganancia y bajo nivel de ruido. Logra una alta tasa de rechazo en modo común y una alta amplitud de voltaje de salida mediante la optimización de la longitud de onda. Este detector tiene un ancho de banda de hasta 2,5 GHz y está optimizado para longitudes de onda de 1064 nm y 1310 nm.

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Detalle del producto

Rofea Optoelectronics ofrece productos de moduladores electroópticos ópticos y fotónicos.

Etiquetas de productos

Característica

yoLongitud de onda: 850/1064/1310/1550 nm

yoAncho de banda de 3dB: 2,5 GHz

yoRelación de rechazo de modo común: > 25 dB

yoAlta ganancia

Fotodetector balanceado de alto ancho de banda ROF Fotodetector de silicio

Solicitud

⚫Detección de heterodinos
⚫Medición del retardo óptico
⚫Sistema de detección de fibra óptica
⚫（OCT）

Diagrama esquemático de SS-OCT

Parámetros

Parámetros de rendimiento del BPR-2GHz

modelo	R-BPR-2G-B-FC	R-BPR-2,5G-A1-FC	R-BPR-2,5G-A2-FC
rango de respuesta espectral	500~880 nm	900-1400 nm	1200-1700nm
Longitud de onda típica	850 nm	1064 nm	1310 nm/1550 nm
sensibilidad	0,45A/Wa 850 nm	0.7A/W@1064 nm	0.9A/W@1550 nm
Ancho de banda de 3 dB	50K~2GHz	50K~2,5 GHz	50K~2,5 GHz
Relación de rechazo de modo común (CMRR)	>25dB (30dB típico)	>25dB (30dB típico)	>25dB (30dB típico)
Ganancia en estado de alta impedancia	6.5×10³V/W	10.1×10³V/W	14.5×10³V/W
Voltaje de ruido (RMS)	＜20 mV_RMS	＜6 mV_RMS	＜8 mV_RMS
Amplitud de salida máxima a 50Ω	5,5 Vpp	5,5 Vpp	5,5 Vpp
Dañar la potencia óptica	10 mW
Rango de temperatura de funcionamiento	-20~+70°C
Voltaje de trabajo	DC ±12 V（Equipado con un adaptador de corriente de bajo ruido.）
corriente de funcionamiento	350 mA
Conector de entrada	FC
Conector de salida	SMA
impedancia de salida	50 ohmios
Método de acoplamiento de salida	Acoplamiento de CA
Dimensiones externas (mm)	78,5 mm×71 mm×25,7 mm

Curva

Curva característica

Curva de respuesta espectral Diagrama del circuito interno

Dimensiones (mm)

Sobre nosotros

Rofea Optoelectronics exhibe una amplia gama de productos electroópticos incluyendo moduladores, fotodetectores, fuentes láser, láseres dfb, amplificadores ópticos, EDFAs, láseres SLD, modulación QPSK, láseres pulsados, fotodetectores, fotodetectores balanceados, láseres semiconductores, controladores láser, acopladores de fibra, láseres pulsados, amplificadores de fibra, medidores de potencia óptica, láseres de banda ancha, láseres sintonizables, retardos ópticos, moduladores electroópticos, fotodetectores, controladores de diodos láser, amplificadores de fibra, amplificadores de fibra dopada con erbio y láseres fuente.
También ofrecemos moduladores personalizados, incluidos moduladores de fase de matriz 1*4, moduladores de Vpi ultrabajo y relación de extinción ultraalta, que están especialmente diseñados para universidades e institutos de investigación.
Estos productos cuentan con un ancho de banda electroóptico de hasta 40 GHz, un rango de longitud de onda de 780 nm a 2000 nm, baja pérdida de inserción, bajo Vp y alto PER, lo que los hace adecuados para una variedad de enlaces de RF analógicos y aplicaciones de comunicación de alta velocidad.

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Esperamos que nuestros productos le sean útiles a usted y a su investigación.