Modulador EOM de película delgada de niobato de litio, modulador de fase 40G
Característica
■ Ancho de banda de RF de hasta 20/40 GHz
■ Tensión de media onda baja a 3 V
■ Pérdida de inserción de tan solo 4,5 dB
■ Tamaño del dispositivo pequeño
Parámetro
| Categoría | Argumento | Símbolo | Uni | Aointer | |
|
Rendimiento óptico (@25°C)
| Longitud de onda de funcionamiento (*) | λ | nm | ~1550 | |
| pérdida de retorno óptico
| ORL | dB | ≤ -27 | ||
| Pérdida de inserción óptica (*) | IL | dB | MÁX.: 5,5 Tipo: 4.5 | ||
| Propiedades eléctricas (@25°C)
| Ancho de banda electroóptico de 3 dB (desde 2 GHz) | S21 | GHz | X1: 2 | X1: 4 |
| MÍNIMO: 18 Tipo: 20 | MÍNIMO: 36 Tipo: 40 | ||||
| Tensión de media onda de RF (@50 kHz)
| Vπ | V | MÁX.: 3,5 Tipo: 3.0 | ||
| Pérdida de retorno de RF (de 2 GHz a 40 GHz)
| S11 | dB | ≤ -10 | ||
| Condiciones de funcionamiento
| Temperatura de funcionamiento | TO | °C | -20~70 | |
* personalizable
Umbral de daño
| Argumento | Símbolo | Seleccionable | MÍNIMO | MÁXIMO | Uni |
| Potencia de entrada de RF | Pecado | X2: 4 | - | 18 | dBm |
| X2: 5 | - | 29 | |||
| tensión de oscilación de entrada de RF | Vpp | X2: 4 | -2,5 | +2.5 | V |
| X2: 5 | -8.9 | +8.9 | |||
| Tensión RMS de entrada de RF | Vrms | X2: 4 | - | 1.78 | V |
| X2: 5 | - | 6.30 | |||
| Temperatura de almacenamiento | Alfiler | - | - | 20 | dBm |
| Potencia de entrada óptica | Ts | - | -40 | 85 | °C |
| Humedad relativa (sin condensación) | RH | - | 5 | 90 | % |
Si el dispositivo supera el umbral máximo de daños, sufrirá daños irreversibles, y este tipo de daños no está cubierto por el servicio de mantenimiento.
Muestra de prueba S21 (valor típico de 40 GHz)
S21 yS11
Información del pedido
Modulador de fase de niobato de litio de película delgada de 20 GHz/40 GHz
| seleccionable | Descripción | seleccionable |
| X1 | Ancho de banda electroóptico de 3 dB | 2 o 4 |
| X2 | Potencia máxima de entrada de RF | 4 o 5
|
Sobre nosotros
Rofea Optoelectronics ofrece una gama de productos comerciales que incluyen moduladores electroópticos, moduladores de fase, fotodetectores, fuentes láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láseres SLD, modulación QPSK, láseres pulsados, fotodetectores, fotodetectores balanceados, láseres semiconductores, controladores láser, acopladores de fibra, láseres pulsados, amplificadores de fibra, medidores de potencia óptica, láseres de banda ancha, láseres sintonizables, líneas de retardo óptico, moduladores electroópticos, detectores ópticos, controladores de diodos láser, amplificadores de fibra, amplificadores de fibra dopada con erbio y fuentes de luz láser.
El modulador de fase LiNbO3 se utiliza ampliamente en sistemas de comunicación óptica de alta velocidad, detección láser y sistemas ROF debido a su excelente efecto electroóptico. La serie R-PM, basada en la tecnología de difusión de Ti y APE, presenta características físico-químicas estables, lo que permite satisfacer las necesidades de la mayoría de las aplicaciones en experimentos de laboratorio y sistemas industriales.
Rofea Optoelectronics ofrece una línea de productos que incluye moduladores electroópticos comerciales, moduladores de fase, moduladores de intensidad, fotodetectores, fuentes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láseres SLD, modulación QPSK, láseres pulsados, detectores de luz, fotodetectores balanceados, controladores de láser, amplificadores de fibra óptica, medidores de potencia óptica, láseres de banda ancha, láseres sintonizables, controladores de diodos láser y amplificadores de fibra. También ofrecemos moduladores personalizados, como moduladores de fase de matriz 1x4, moduladores de Vpi ultrabajos y moduladores de relación de extinción ultraalta, utilizados principalmente en universidades e institutos.
Esperamos que nuestros productos les sean útiles a ustedes y a su investigación.
