Modulador Rof EOM de 40 GHz Modulador de fase de película fina Modulador de niobato de litio
Característica
■ Ancho de banda de RF de hasta 40 GHz
■ Voltaje de media onda bajo a 3 V
■ Pérdida de inserción tan baja como 4,5 dB
■ Dispositivo de tamaño pequeño
Parámetro
| Categoría | Argumento | Símbolo | Uni | Aointer | |
|
Rendimiento óptico (@25°C)
| Longitud de onda de funcionamiento (*) | λ | nm | ~1550 | |
| Pérdida de retorno óptica
| ORL | dB | ≤ -27 | ||
| Pérdida de inserción óptica (*) | IL | dB | MÁX: 5.5 Típico: 4.5 | ||
| Propiedades eléctricas (@25°C)
| Ancho de banda electroóptico de 3 dB (desde 2 GHz) | S21 | GHz | X1: 2 | X1: 4 |
| MÍNIMO: 18 Típico: 20 | MÍNIMO: 36 Típico: 40 | ||||
| Voltaje de media onda de RF (@50 kHz)
| Vπ | V | MÁX: 3.5 Tipo: 3.0 | ||
| Pérdida de retorno de RF (2 GHz a 40 GHz)
| S11 | dB | ≤ -10 | ||
| Condiciones de trabajo
| Temperatura de funcionamiento | TO | °C | -20~70 | |
* personalizable
Umbral de daño
| Argumento | Símbolo | Seleccionable | MÍNIMO | MÁXIMO | Uni |
| Potencia de entrada de RF | Pecado | X2: 4 | - | 18 | dBm |
| X2: 5 | - | 29 | |||
| Voltaje de oscilación de entrada de RF | Vicepresidente | X2: 4 | -2.5 | +2.5 | V |
| X2: 5 | -8.9 | +8.9 | |||
| Voltaje RMS de entrada de RF | Vrms | X2: 4 | - | 1.78 | V |
| X2: 5 | - | 6.30 | |||
| Temperatura de almacenamiento | Alfiler | - | - | 20 | dBm |
| Potencia de entrada óptica | Ts | - | -40 | 85 | °C |
| Humedad relativa (sin condensación) | RH | - | 5 | 90 | % |
Si el dispositivo excede el umbral de daño máximo, provocará daños irreversibles en el dispositivo y este tipo de daño al dispositivo no está cubierto por el servicio de mantenimiento.
Muestra de prueba S21 (valor típico de 40 GHz)
S21&S11
Información del pedido
Modulador de fase de 20 GHz/40 GHz de niobato de litio de película delgada
| seleccionable | Descripción | seleccionable |
| X1 | Ancho de banda electroóptico de 3 dB | 2 o 4 |
| X2 | Potencia máxima de entrada de RF | 4 o 5
|
Sobre nosotros
Rofea Optoelectronics ofrece una gama de productos comerciales que incluyen moduladores electroópticos, moduladores de fase, fotodetectores, fuentes láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láseres SLD, modulación QPSK, láseres pulsados, fotodetectores, fotodetectores balanceados, láseres semiconductores, controladores láser, acopladores de fibra, láseres pulsados, amplificadores de fibra, medidores de potencia óptica, láseres de banda ancha, láseres sintonizables, líneas de retardo óptico, moduladores electroópticos, detectores ópticos, controladores de diodos láser, amplificadores de fibra, amplificadores de fibra dopada con erbio y fuentes de luz láser.
El modulador de fase LiNbO₃ se utiliza ampliamente en sistemas de comunicación óptica de alta velocidad, detección láser y sistemas ROF gracias a su excelente efecto electroóptico. La serie R-PM, basada en tecnología de difusión de Ti y APE, presenta características físicas y químicas estables, lo que permite satisfacer las necesidades de la mayoría de las aplicaciones en experimentos de laboratorio y sistemas industriales.
Rofea Optoelectronics ofrece una línea de productos que incluye moduladores electroópticos comerciales, moduladores de fase, moduladores de intensidad, fotodetectores, fuentes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láser SLD, modulación QPSK, láser de pulsos, detectores de luz, fotodetectores balanceados, controladores láser, amplificadores de fibra óptica, medidores de potencia óptica, láseres de banda ancha, láseres sintonizables, detectores ópticos, controladores de diodos láser y amplificadores de fibra. También ofrecemos una amplia gama de moduladores personalizados, como moduladores de fase de matriz 1*4, moduladores de Vpi ultrabajos y moduladores de relación de extinción ultraalta, utilizados principalmente en universidades e institutos.
Esperamos que nuestros productos le sean útiles a usted y a su investigación.
