Modulador Rof EOM modulador de fase de 40GHz modulador de niobato de litio de película fina
Característica
■ Ancho de banda RF de hasta 40 GHz
■ Tensión de media onda baja a 3 V
■ Pérdida de inserción tan baja como 4,5 dB
■ Tamaño pequeño del dispositivo
Parámetro
| Categoría | Argumento | sim | Uni | Aointer | |
|
Rendimiento óptico (@25°C)
| Longitud de onda de funcionamiento (*) | λ | nm | ~1550 | |
| Pérdida de retorno óptico
| ORL | dB | ≤ -27 | ||
| Pérdida de inserción óptica (*) | IL | dB | MÁXIMO: 5,5 Tipo: 4,5 | ||
| Propiedades eléctricas (@25°C)
| Ancho de banda electroóptico de 3 dB (desde 2 GHz | S21 | GHz | X1: 2 | X1: 4 |
| MÍN:18 Tipo: 20 | MÍNIMO: 36 Tipo: 40 | ||||
| Tensión de media onda Rf (@50 kHz)
| Vπ | V | MÁXIMO: 3,5 Tipo: 3,0 | ||
| Pérdida de retorno de RF (2 GHz a 40 GHz)
| T11 | dB | ≤ -10 | ||
| condiciones de trabajo
| Temperatura de funcionamiento | TO | °C | -20~70 | |
* personalizable
Umbral de daño
| Argumento | sim | Seleccionable | MÍNIMO | MÁXIMO | Uni |
| potencia de entrada de radiofrecuencia | Pecado | X2: 4 | - | 18 | dBm |
| X2: 5 | - | 29 | |||
| Voltaje de oscilación de entrada de RF | Vpp | X2: 4 | -2.5 | +2.5 | V |
| X2: 5 | -8.9 | +8.9 | |||
| Tensión RMS de entrada RF | Vrms | X2: 4 | - | 1,78 | V |
| X2: 5 | - | 6.30 | |||
| Temperatura de almacenamiento | Alfiler | - | - | 20 | dBm |
| Potencia de entrada óptica | Ts | - | -40 | 85 | ℃ |
| Humedad relativa (sin condensación) | RH | - | 5 | 90 | % |
Si el dispositivo excede el umbral máximo de daño, causará daños irreversibles al dispositivo, y este tipo de daño al dispositivo no está cubierto por el servicio de mantenimiento.
Muestra de prueba S21 (valor típico de 40 GHz)
S21&T11
Información del pedido
Modulador de fase de niobato de litio de película fina de 20 GHz/40 GHz
| seleccionable | Descripción | seleccionable |
| X1 | Ancho de banda electroóptico de 3 dB | 2 o 4 |
| X2 | Potencia máxima de entrada de RF | 4 o 5
|
Sobre nosotros
Rofea Optoelectronics ofrece una gama de productos comerciales que incluyen moduladores electroópticos, moduladores de fase, fotodetectores, fuentes láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láseres SLD, modulación QPSK, láseres pulsados, fotodetectores, fotodetectores balanceados, láseres semiconductores, láser. controladores, acopladores de fibra, láseres pulsados, amplificadores de fibra, medidores de potencia óptica, láseres de banda ancha, láseres sintonizables, líneas de retardo óptico, moduladores electroópticos, detectores ópticos, controladores de diodos láser, amplificadores de fibra, amplificadores de fibra dopada con erbio y fuentes de luz láser.
El modulador de fase LiNbO3 se usa ampliamente en sistemas de comunicación óptica de alta velocidad, sensores láser y sistemas ROF debido al efecto electroóptico del pozo. La serie R-PM, basada en tecnología Ti-difundida y APE, tiene características físicas y químicas estables, que pueden cumplir con los requisitos de la mayoría de las aplicaciones en experimentos de laboratorio y sistemas industriales.
Rofea Optoelectronics ofrece una línea de productos de moduladores electroópticos comerciales, moduladores de fase, moduladores de intensidad, fotodetectores, fuentes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láser SLD, modulación QPSK, láser de pulso, detector de luz, fotodetector equilibrado, controlador láser. , Amplificador de fibra óptica, Medidor de potencia óptica, Láser de banda ancha, Láser sintonizable, Detector óptico, Controlador de diodo láser, Amplificador de fibra. También proporcionamos muchos moduladores particulares para personalización, como moduladores de fase de matriz 1*4, Vpi ultrabajo y moduladores de índice de extinción ultraalto, utilizados principalmente en universidades e institutos.
Espero que nuestros productos sean útiles para usted y su investigación.
