Modulador electroóptico Rof Láser semiconductor Fuente de luz de banda ancha ASE Módulo láser ASE
Característica
Estabilidad de potencia del pozo
Salida de bajo grado de polarización
Control inteligente por microprocesador
Buena estabilidad de la longitud de onda promedio
Solicitud
Análisis espectral e imágenes biomédicas
Imágenes biomédicas
Sistema de detección de fibra óptica
Prueba de giroscopio óptico
Parámetros
Parámetro | Mínimo | Típico | Máximo | Unidad | ||
Longitud de onda de funcionamiento | C | 1525 | - | 1565 | nm | |
L | 1570 | - | 1610 | |||
C+L | 1525 | 1610 | ||||
1060 | 1030 | 1090 | ||||
Potencia de salida | 13/10/17/23 | dBm | ||||
Densidad espectral de potencia | -20 | -2 | dBm | |||
Estabilidad de potencia | 15 minutos a 23 °C | 2.0 | 3.0 | 5.0 | % | |
8 h a 23 °C | - | 0.01 | 0.02 | dB | ||
3 dBancho espectral | 37 | 40 | 42 | nm | ||
Planitud espectral | 1.5 | 2 | dB | |||
Especificación | De oficina | Módulo | ||||
DimensionesLargo x Ancho x Alto | 320×220×90 mm | 90×70×18 mm | ||||
Requisito de potencia | CA 220 V ± 10 % 30 W | CC +5 V GND | ||||
Tipo de fibra óptica | SMF-28 o PMF | |||||
Tipo de conector | FC/PC, FC/APCo especificado por el usuario |
Curva
Espectrograma de banda C (con GFF) Espectrograma de banda C y banda L (con GFF)
Sobre nosotros
Rofea Optoelectronics ofrece una amplia gama de moduladores electroópticos comerciales, moduladores de fase, fotodetectores, fuentes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láseres SLD, modulación QPSK, láseres de pulso, detectores de luz, fotodetectores balanceados, láseres semiconductores, controladores láser, acopladores de fibra, láseres pulsados, amplificadores de fibra óptica, medidores de potencia óptica, láseres de banda ancha, láseres sintonizables, moduladores electroópticos de retardo óptico, detectores ópticos, controladores de diodos láser, amplificadores de fibra, amplificadores de fibra dopada con erbio y fuentes de luz láser. Además, ofrecemos una amplia gama de moduladores personalizables, como moduladores de fase de matriz 1*4, moduladores de Vpi ultrabaja y moduladores de relación de extinción ultrabaja, utilizados principalmente en universidades e institutos. Nuestros productos ofrecen un rango de longitud de onda de 780 nm a 2000 nm con anchos de banda electroópticos de hasta 40 GHz, con baja pérdida de inserción, bajo Vp y alto PER. Son ideales para diversas aplicaciones, desde enlaces de RF analógicos hasta comunicaciones de alta velocidad.
Grandes ventajas en la industria, como personalización, variedad, especificaciones, alta eficiencia y excelente servicio. En 2016, obtuvo la certificación de empresa de alta tecnología de Beijing, cuenta con numerosas patentes y una sólida reputación. Sus productos se venden tanto en el mercado nacional como en el extranjero. Gracias a su rendimiento estable y superior, ha sido reconocido por usuarios nacionales e internacionales.
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Rofea Optoelectronics ofrece una línea de productos que incluye moduladores electroópticos comerciales, moduladores de fase, moduladores de intensidad, fotodetectores, fuentes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láser SLD, modulación QPSK, láser de pulsos, detectores de luz, fotodetectores balanceados, controladores láser, amplificadores de fibra óptica, medidores de potencia óptica, láseres de banda ancha, láseres sintonizables, detectores ópticos, controladores de diodos láser y amplificadores de fibra. También ofrecemos una amplia gama de moduladores personalizados, como moduladores de fase de matriz 1*4, moduladores de Vpi ultrabajos y moduladores de relación de extinción ultraalta, utilizados principalmente en universidades e institutos.
Esperamos que nuestros productos le sean útiles a usted y a su investigación.