Modulador de intensidad Rof EOM 1550nm 2,5G modulador de niobato de litio de película fina

Modulador de intensidad Rof EOM 1550nm Modulador de niobato de litio de película fina 2,5G Imagen destacada

Breve descripción:

El modulador de intensidad LiNbO3 se usa ampliamente en sistemas de comunicación óptica de alta velocidad, sensores láser y sistemas ROF debido a su buen rendimiento electroóptico. La serie R-AM, basada en la estructura push-pull MZ y el diseño X-cut, tiene características físicas y químicas estables, que se pueden aplicar tanto en experimentos de laboratorio como en sistemas industriales.

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Detalle del producto

Rofea Optoelectronics ofrece productos Moduladores electroópticos ópticos y fotónicos

Etiquetas de producto

Característica

* Baja pérdida de inserción
* Alto ancho de banda
* Bajo voltaje de media onda
* Opción de personalización

Modulador electroóptico Modulador electroóptico Modulador de intensidad LiNbO3 Modulador MZM Modulador Mach-Zehnder Modulador LiNbO3 Modulador de niobato de litio

Solicitud

⚫ sistemas ROF
⚫ Distribución de claves cuánticas
⚫ Sistemas de detección láser
⚫ Modulación de banda lateral

Longitud de onda

⚫750 nm

⚫850 nm

⚫ 1064 nm

⚫ 1310nm

⚫ 1550 nm

Ancho de banda

⚫ 10GHz
⚫ 20GHz
⚫ 40GHz
⚫ 50GHz

RAM-AM-15-2.5G

Parámetro				Símbolo		mín.	tipo	máx.	Unidad
Parámetros ópticos
Operantelongitud de onda				l		1530	1550	1565	nm
Pérdida de inserción				IL			4	5	dB
Pérdida de retorno óptico				ORL				-45	dB
Relación de extinción del interruptor @DC				Urgencias @ DC		20	23	45	dB
Relación de extinción dinámica				DER			13		dB
Fibra óptica	Aportepuerto					Panda PM Fujikura SM
	producciónpuerto					Panda PM Fujikura SM
Interfaz de fibra óptica						FC/PC、FC/APC O usuario para especificar
Parámetros eléctricos
Operanteancho de banda(-3dB）					S₂₁	2.5	3		GHz
Tensión de media onda Vpi		RF			@50KHz		4.5	5	V
		Bias			@Inclinación		6	7	V
Eléctricoalpérdida de retorno					S₁₁		-12	-10	dB
Impedancia de entrada			RF		Z_RF	50			W
			Inclinación		Z_INCLINACIÓN	1M			W
Interfaz eléctrica						AME(f)

Condiciones límite

Parámetro	Símbolo	Unidad	mín.	tipo	máx.
Potencia óptica de entrada	P_{en, máx.}	dBm			20
IEntrada de potencia RF		dBm			28
voltaje de polarización	sesgo	V	-15		15
Operantetemperatura	Arriba	℃	-10		60
Temperatura de almacenamiento	tt	℃	-40		85
Humedad	RH	%	5		90

Curva S21

&S11 Curva

Curvas S21 y s11

Diagrama mecánico

PUERTO	Símbolo	Nota
En	Opuerto de entrada óptica	Fibra PM (125μm/250μm)
Afuera	Opuerto de salida óptica	PM Fibra(125μm/250μm)
RF	RPuerto de entrada F	AME (f)/ K(f) / V(f)
Inclinación	Puerto de control de polarización	1,2 Sesgo, 3-Cátodo PD, ánodo 4-PD

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Rofea Optoelectronics ofrece una línea de productos de moduladores electroópticos comerciales, moduladores de fase, moduladores de intensidad, fotodetectores, fuentes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láser SLD, modulación QPSK, láser de pulso, detector de luz, fotodetector equilibrado, controlador láser. , Amplificador de fibra óptica, Medidor de potencia óptica, Láser de banda ancha, Láser sintonizable, Detector óptico, Controlador de diodo láser, Amplificador de fibra. También proporcionamos muchos moduladores particulares para personalización, como moduladores de fase de matriz 1*4, Vpi ultrabajo y moduladores de índice de extinción ultraalto, utilizados principalmente en universidades e institutos.
Espero que nuestros productos sean útiles para usted y su investigación.

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